EDITORIAL
Conference Comments by the General Chair . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. A. Xapsos
2015 Special NSREC Issue of the IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE Comments by the Editors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Fleetwood, D. Brown, S. Girard, P. Gouker, S. Gerardin, H. Quinn, and H. Barnaby
LIST OF REVIEWERS
2015 December Special NSREC Issue of the IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE List of Reviewers
AWARDS
2015 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference Awards Comments by the Chairman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Paccagnella
Outstanding Conference Paper Award: 2015 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
IN MEMORIAM
Roger L. Fitzwilson
SESSION A: RADIATION EFFECTS IN DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS
Interrupted PROGRAM and ERASE Operations for Characterizing Radiation Effects in Commercial NAND Flash Memories . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. H. Roach, M. J. Gadlage, A. R. Duncan, J. D. Ingalls, and M. J. Kay
Enhancement of Transistor-to-Transistor Variability Due to Total Dose Effects in 65-nm MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Gerardin, M. Bagatin, D. Cornale, L. Ding, S. Mattiazzo, A. Paccagnella, F. Faccio, and S. Michelis
A Study of Gamma-Ray Exposure of Cu-SiO2 Programmable Metallization Cells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W. Chen, H. J. Barnaby, M. N. Kozicki, A. H. Edwards, Y. Gonzalez-Velo, R. Fang, K. E. Holbert, S. Yu, and W. Yu
Total Ionizing Dose Effects on Ge Channel pFETs with Raised Si0.55 Ge0.45 Source/Drain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. Wang, E. X. Zhang,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, G. X. Duan, J. A. Hachtel, C. X. Zhang, R. A. Reed, I. K. Samsel, M. L. Alles, L. Witters,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. Collaert, D. Linten, J. Mitard, M. F. Chisholm, S. T. Pantelides, and K. F. Galloway
Effects of Proton-Induced Displacement Damage on Gallium Nitride HEMTs in RF Power Amplifier Applications . . . . . . . . . . . . . . . N. E. Ives,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Chen, A. F. Witulski, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, R. W. Bruce, M. W. McCurdy, E. X. Zhang, and L. W. Massengill
Effects of Applied Bias and High Field Stress on the Radiation Response of GaN/AlGaN HEMTs . . . . . . . . . . J. Chen, Y. S. Puzyrev, R. Jiang,
. . . . . . . . . E. X. Zhang, M. W. McCurdy, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. T. Pantelides, A. R. Arehart, S. A. Ringel, P. Saunier, and C. Lee
Evaluation of 1.5-T Cell Flash Memory Total Ionizing Dose Response . . . L. T. Clark, K. E. Holbert, J. W. Adams, H. Navale, and B. C. Anderson
SESSION B: HARDNESS ASSURANCE
The Contribution of Low-Energy Protons to the Total On-Orbit SEU Rate . . . . . . . . . . N. A. Dodds, M. J. Martinez, P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt,
. . . . . . . F. W. Sexton, J. D. Black, D. S. Lee, S. E. Swanson, B. L. Bhuva, K. M. Warren, R. A. Reed, J. Trippe, B. D. Sierawski, R. A. Weller,
. . . . . .
N. Mahatme, N. J. Gaspard, T. Assis, R. Austin, S. L. Weeden-Wright, L.W. Massengill, G. Swift, M. Wirthlin, M. Cannon, R. Liu, L. Chen,
. . . . . . . . . . . . . . . A. T. Kelly, P.W. Marshall, M. Trinczek, E.W. Blackmore, S.-J. Wen, R. Wong, B. Narasimham, J. A. Pellish, and H. Puchner
The Impact of Metal Line Reflections on Through-Wafer TPA SEE Testing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Khachatrian, N. J-H. Roche, N. A. Dodds, D. McMorrow, J. H. Warner, S. P. Buchner, and R. A. Reed
Investigating Pulsed X-ray Induced SEE in Analog Microelectronic Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Cardoza, S. D. LaLumondiere, N. P. Wells, M. A. Tockstein, D. L. Brewe, W. T. Lotshaw, and S. C. Moss
RHA Implications of Proton on Gold-Plated Package Structures in SEE Evaluations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T. L. Turflinger, D. A. Clymer, L. W. Mason, S. Stone, J. S. George, M. Savage, R. Koga, E. Beach, and K. Huntington
Hydrogen Limits for Total Dose and Dose Rate Response in Linear Bipolar Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P. C. Adell, B. Rax, I. S. Esqueda, and H. J. Barnaby
Schottky Diode Derating for Survivability in a Heavy Ion Environment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. C. Casey, J.-M. Lauenstein, R. L. Ladbury, E. P. Wilcox, A. D. Topper, and K. A. LaBel
Evaluation and Application of U.S. Medical Proton Facilities for Single Event Effects Test . . . . . . . . . . . . . . B. S. Wie, K. A. LaBel, T. L. Turflinger,
. . . . . . . . J. L. Wert, C. C. Foster, R. A. Reed, A. D. Kostic, S. C. Moss, S. M. Guertin, J. S. George, M. Pankuch, L. Dong, C. Bloch, and S. Laub
Proton Irradiation as a Screen for Displacement-Damage Sensitivity in Bipolar Junction Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . C. N. Arutt, K. M. Warren,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .R. D. Schrimpf, R. A. Weller, J. S. Kauppila, J. D. Rowe, A. L. Sternberg, R. A. Reed, D. R. Ball, and D. M. Fleetwood
Use of Proton SEE Data as a Proxy for Bounding Heavy-Ion SEE Susceptibility . . . . . . . . . . . . . . . R. Ladbury, J.-M. Lauenstein, and K. P. Hayes
Sample-to-Sample Variability of Floating Gate Errors Due to Total Ionizing Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Gerardin, M. Bagatin, A. Bertoldo, A. Paccagnella, and V. Ferlet-Cavrois
Bayesian Inference Modeling of Total Ionizing Dose Effects on System Performance . . . . . . . . . . . . . . . . Z. J. Diggins, N. Mahadevan, E. B. Pitt,
. . . . . . . D. Herbison, R. M. Hood, G. Karsai, B. D. Sierawski, E. J. Barth, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, R. A. Weller, M. L. Alles, and A. F. Witulski
A Method for In-Situ, Total Ionising Dose Measurement of Temperature Coefficients of Semiconductor Device Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Hofman, A. Holmes-Siedle, R. Sharp, and J. Haze
Software Resilience and the Effectiveness of Software Mitigation in Microcontrollers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Quinn, Z. Baker, T. Fairbanks, J. L. Tripp, and G. Duran
Analysis of Angular Dependence of Single-Event Latchup Sensitivity for Heavy-Ion Irradiations of 0.18-μm CMOS Technology . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. Artola, N. J.-H. Roche, G. Hubert, A. Al Youssef, A. Khachatrian, P. McMarr, and H. Hughes
Using Benchmarks for Radiation Testing of Microprocessors and FPGAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Quinn, W. H. Robinson, P. Rech, M. Aguirre,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Barnard, M. Desogus, L. Entrena, M. Garcia-Valderas, S. M. Guertin, D. Kaeli, F. L. Kastensmidt,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. T. Kiddie, A. Sanchez-Clemente, M. S. Reorda, L. Sterpone, and M. Wirthlin
SEL Hardness Assurance in a Mixed Radiation Field . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. García Alía, M. Brugger, S. Danzeca,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V. Ferlet-Cavrois, C. Frost, R. Gaillard, J. Mekki, F. Saigné, A. Thornton, S. Uznanski, and F. Wrobel
Addressing Angular Single-Event Effects in the Estimation of On-Orbit Error Rates . . . . . . . . D. S. Lee, G. M. Swift, M. J. Wirthlin, and J. Draper
SESSION C: SINGLE-EVENT EFFECTS: DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS
Soft Error Rate Improvements in 14-nm Technology Featuring Second-Generation 3D Tri-Gate Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. Seifert, S. Jahinuzzaman, J. Velamala, R. Ascazubi, N. Patel, B. Gill, J. Basile, and J. Hicks
Bias Dependence of Single-Event Upsets in 16 nm FinFET D-Flip-Flops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .B. Narasimham, S. Hatami,
. . . . . . . . . . . . . . . A. Anvar, D. M. Harris, A. Lin, J. K. Wang, I. Chatterjee, K. Ni, B. L. Bhuva, R. D. Schrimpf, R. A. Reed, and M. W. McCurdy
Multi-Cell Soft Errors at Advanced Technology Nodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. L. Bhuva, N. Tam, L. W. Massengill, D. Ball, I. Chatterjee, M. McCurdy, and M. L. Alles
Influence of Voltage and Particle LET on Timing Vulnerability Factors of Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. N. Mahatme, L. Rui,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Wang, L. Chen, B. L. Bhuva, W. H. Robinson, L. W. Massengill, K. Lilja, M. Bounasser, S.-J. Wen, and R. Wong
The Role of Negative Feedback Effects on Single-Event Transients in SiGe HBT Analog Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Seungwoo, I. Song,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Z. E. Fleetwood, U. Raghunathan, N. E. Lourenco, M. A. Oakley, B. R. Wier, N. J.-H. Roche,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Khachatrian, D. McMorrow, S. P. Buchner, J. H. Warner, P. Paki, and J. D. Cressler
Single Event Susceptibility Analysis in CBRAM Resistive Memory Arrays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Mahalanabis, R. Liu, H. J. Barnaby, S. Yu, M. N. Kozicki, A. Mahmud, and E. Deionno
Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. S. Kauppila, W. H. Kay, T. D. Haeffner, D. L. Rauch, T. R. Assis,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. N. Mahatme, N. J. Gaspard, B. L. Bhuva, M. L. Alles, W. T. Holman, and L. W. Massengill
Investigation on MCU Clustering Methodologies for Cross-Section Estimation of RAMs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Bosser, V. Gupta,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. Tsiligiannis, A. Javanainen, H. Puchner, F. Saigné, A. Virtanen, F. Wrobel, and L. Dilillo
Memory Access Time and Input Size Effects on Parallel Processors Reliability . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. L. Pilla, D. A. G. Oliveira, C. Lunardi, P. O. A. Navaux, L. Carro, and P. Rech
Prediction Methodology for Proton Single Event Burnout: Application to a STRIPFET Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Siconolfi, J. Mekki, P. Oser, G. Spiezia, G. Hubert, and J.-P. David
An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology . . . . . . . . . . . . . . . . Z. E. Fleetwood,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. E. Lourenco, A. Ildefonso, T. D. England, I. Song, R. L. Schmid, A. S. Cardoso,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Jung, N. J.-H. Roche, A. Khachatrian, S. P. Buchner, D. McMorrow, J. Warner, P. Paki, and J. D. Cressler
Single-Event Characterization of Bang-bang All-digital Phase-locked Loops (ADPLLs) . . . . . . . . . . . . . Y. P. Chen, L. W. Massengill, B. L. Bhuva,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W. T. Holman, T. D. Loveless, W. H. Robinson, N. J. Gaspard, and A. F. Witulski
Single-Event Effects in a W-Band (75-110 GHz) Radar Down-Conversion Mixer Implemented in 90 nm, 300 GHz SiGe HBT Technology . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Zeinolabedinzadeh, I. Song, U. S. Raghunathan, N. E. Lourenco, Z. E. Fleetwood, M. A. Oakley, A. S. Cardoso,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. J.-H. Roche, A. Khachatrian, D. McMorrow, S. P. Buchner, J. H. Warner, P. Paki-Amouzou, and J. D. Cressler
SEU and SET of 65 Bulk CMOS Flip-flops and Their Implications for RHBD . . . . . . . . . . . . . . . . Y. Zhao, L. Wang, S. Yue, D. Wang, X. Zhao,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Y. Sun, D. Li, F. Wang, X. Yang, H. Zheng, J. Ma, and L. Fan
SEE on Different Layers of Stacked-SRAMs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V. Gupta, A. Bosser, G. Tsiligiannis, M. Rousselet, A. Mohammadzadeh,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Javanainen, A. Virtanen, H. Puchner, F. Saigné, F. Wrobel, and L. Dilillo
Application of a Pulsed Laser to Identify a Single-Event Latchup Precursor . . . . . . . . . N. J.-H. Roche, A. Khachatrian, S. Buchner, C. C. Foster,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V. Ferlet-Cavrois, M. Muschitiello, F. Miller, S. Morand, J. Warner, T. Decker, and D. McMorrow
COTS-Based High-Performance Computing for Space Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Esposito, C. Albanese, M. Alderighi, F. Casini,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. Giganti, M. L. Esposti, C. Monteleone, and M. Violante
Evaluating Xilinx 7 Series GTX Transceivers for Use in High Energy Physics Experiments Through Proton Irradiation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Cannon, M. Wirthlin, A. Camplani, M. Citterio, and C. Meroni
Single-Event Effect Performance of a Conductive-Bridge Memory EEPROM . . . . . . . . . . . . . . D. Chen, E. Wilcox, M. Berg, H. Kim, A. Phan,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Figueiredo, C. Seidleck, and K. LaBel
Electron-Induced Single Event Upsets in 28 nm and 45 nm Bulk SRAMs . . . . . . . . . . . . . . J. M. Trippe, R. A. Reed, R. A. Austin, B. D. Sierawski,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. A. Weller, E. D. Funkhouser, M. P. King, B. Narasimham, B. Bartz, R. Baumann,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Labello, J. Nichols, R. D. Schrimpf, and S. L. Weeden-Wright
Electron-Induced Single-Event Upsets in 45-nm and 28-nm Bulk CMOS SRAM-Based FPGAs Operating at Nominal Voltage . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. J. Gadlage, A. H. Roach, A. R. Duncan, M. W. Savage, and M. J. Kay
SESSION D: SINGLE-EVENT EFFECTS: TRANSIENT CHARACTERIZATION
Charge Collection Mechanisms of Ge-Channel Bulk pMOSFETs . . . . . . . . . . . . . . I. K. Samsel, E. X. Zhang, A. L. Sternberg, K. Ni, R. A. Reed,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. M. Fleetwood, M. L. Alles, R. D. Schrimpf, D. Linten, J. Mitard, L. Witters, and N. Collaert
Impact of Cumulative Irradiation Degradation and Circuit Board Design on the Parameters of ASETs Induced in Discrete BJT-based Circuits . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. J.-H. Roche, A. Khachatrian, S. P. Buchner, J. H. Warner, H. Hughes, P. McMarr, and D. McMorrow
A Comparison of Single-Event Transients in Pristine and Irradiated Al0.3Ga0.7N/GaN HEMTs using Two-Photon Absorption and Heavy Ions . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Khachatrian, N. J.-H. Roche, S. Buchner, A. D. Koehler, T. J. Anderson,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V. Ferlet-Cavrois, M. Muschitiello, D. McMorrow, B. Weaver, and K. D. Hobart
Charge Collection Mechanisms in GaAs MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . K. Ni, E. X. Zhang, I. K. Samsel, R. D. Schrimpf,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. A. Reed, D. M. Fleetwood, A. L. Sternberg, M. W. McCurdy, S. Ren, T.-P. Ma, L. Dong, J. Y. Zhang, and P. D. Ye
SESSION E: SPACE AND TERRESTRIAL ENVIRONMENTS
Recent Updates to the AE9/AP9/SPM Radiation Belt and Space Plasma Specification Model . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W. R. Johnston, T. P. O'Brien, S. L. Huston, T. B. Guild, and G. P. Ginet
A New Model of Outer Belt Electrons for Dielectric Internal Charging (MOBE-DIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Hands, K. Ryden, C. Underwood, D. Rodgers, and H. Evans
Specification, Design, and Calibration of the Space Weather Suite of Instruments on the NOAA GOES-R Program Spacecraft . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B. K. Dichter, G. E. Galica, J. O. McGarity, S. Tsui, M. J. Golightly, C. Lopate, and J. J. Connell
Dose Measured On-Board INTEGRAL After More Than 12 Years in Space . . . . . . . . . . . . A. Claret, P. Laurent, A. Sauvageon, and V. Savchenko
Terrestrial Muon Flux Measurement at Low Energies for Soft Error Studies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E. W. Blackmore, M. Stukel, M. Trinczek, C. Slayman, S.-J. Wen, and R. Wong
SESSION F: SINGLE-EVENT EFFECTS: MECHANISMS AND MODELING
Sub-LET Threshold SEE Cross Section Dependency with Ion Energy . . . . . . . . . . R. García Alía, C. Bahamonde, S. Brandenburg, M. Brugger,
. . . . . . . . . E. Daly, V. Ferlet-Cavrois, R. Gaillard, S. Hoeffgen, A. Menicucci, S. Metzger, A. Zadeh, M. Muschitiello, E. Noordeh, and G. Santin
Single Event Measurement and Analysis of Antimony Based n-Channel Quantum-Well MOSFET With High-κ Dielectric . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Barth, H. Liu, J. H. Warner, B. R. Bennett, J. B. Boos, D. McMorrow, N. Roche, P. Paillet, M. Gaillardin, and S. Datta
Sensitive Volume and Extreme Shifts in Floating Gate Cells Irradiated with Heavy Ions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . M. Bagatin, S. Gerardin, A. Paccagnella, A. Visconti, M. Bonanomi, L. Chiavarone, M. Calabrese, and V. Ferlet-Cavrois
New Insights Gained on Mechanisms of Low-Energy Proton-Induced SEUs by Minimizing Energy Straggle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. A. Dodds, P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, F. W. Sexton, M. J. Martinez, J. D. Black, P. W. Marshall,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. A. Reed, M. W. McCurdy, R. A. Weller, J. A. Pellish, K. P. Rodbell, and M. S. Gordon
SEB Hardened Power MOSFETs With High-K Dielectrics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . X. Wan, W. S. Zhou, S. Ren, D. G. Liu, J. Xu, H. L. Bo, E. X. Zhang, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, and T. P. Ma
Effect of the Radial Ionization Profile of Proton on SEU Sensitivity of Nanoscale SRAMs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. Hubert, P. Li Cavoli, C. Federico, L. Artola, and J. Busto
Electron Induced SEUs: Microdosimetry in Nanometric Volumes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C. Inguimbert, R. Ecoffet, and D. Falguère
Estimation of Single-Event-Induced Collected Charge for Multiple Transistors Using Analytical Expressions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T. R. Assis, K. Ni, J. S. Kauppila, B. L. Bhuva, R. D. Schrimpf, L. W. Massengill, S. Wen, R. Wong, and C. Slayman
Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. B. Boruzdina, A. V. Sogoyan, A. A. Smolin, A. V. Ulanova, M. S. Gorbunov, A. I. Chumakov, and D. V. Boychenko
Two-Photon Absorption Induced Single-Event Effects: Correlation Between Experiment and Simulation . . . . . . . . . J. M. Hales, N. J.-H. Roche,
. . . . . A. Khachatrian, D. McMorrow, S. Buchner, J. Warner, M. Turowski, K. Lilja, N. C. Hooten, E. X. Zhang, R. A. Reed, and R. D. Schrimpf
Proton Cross-Sections from Heavy-Ion Data in Deep-Submicron Technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. L. Hansen
Atomistic Modeling of Suspended Carbon Nanotube Field Effect Transistors Under Proton Radiation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. W. LaGasse, C. D. Cress, H. L. Hughes, and J. U. Lee
SESSION G: BASIC MECHANISMS OF RADIATION EFFECTS
Total Ionizing Dose (TID) Effects in Extremely Scaled Ultra-Thin Channel Nanowire (NW) Gate-All-Around (GAA) InGaAs MOSFETs . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . S. Ren, M. Si, K. Ni, X. Wan, J. Chen, S. Chang, X. Sun, E. X. Zhang, R. A. Reed, D. M. Fleetwood, P. Ye, S. Cui, and T. P. Ma
Detailed Characterization of the Radiation Response of Multijunction Solar Cells Using Electroluminescence Measurements . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. Hoheisel, D. Scheiman, S. Messenger, P. Jenkins, and R. Walters
Drain Current Collapse in 65 nm pMOS Transistors After Exposure to Grad Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. Ding, S. Gerardin, M. Bagatin, S. Mattiazzo, D. Bisello, and A. Paccagnella
Modeling Radiation-Induced Scattering in Graphene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I. Sanchez Esqueda and C. D. Cress
Performance and Breakdown Characteristics of Irradiated Vertical Power GaN P-i-N Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. P. King, A.M. Armstrong,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. R.Dickerson, G. Vizkelethy, R.M. Fleming, J. Campbell,W. R.Wampler, I. C. Kizilyalli, D. P. Bour, O. Aktas, H. Nie,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Disney, J. Wierer, A. A. Allerman, M. W. Moseley, F. Leonard, A. A. Talin, and R. J. Kaplar
Sub-Micron Resolution of Localized Ion Beam Induced Charge Reduction in Silicon Detectors Damaged by Heavy Ions . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E. C. Auden, J. L. Pacheco, E. Bielejec, G. Vizkelethy, J. B. S. Abraham, and B. L. Doyle
Radiation Induced Single Ion Surface Effects in Nanoelectronic Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. W. Bushmaker, V. Oklejas, D. Walker, A. R. Hopkins, J. Chen, and S. B. Cronin
Radiation-Induced Short Channel (RISCE) and Narrow Channel (RINCE) Effects in 65 and 130 nm MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F. Faccio, S. Michelis, D. Cornale, A. Paccagnella, and S. Gerardin
SESSION H: PHOTONIC DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS
On-site Regeneration Technique for Hole-Assisted Optical Fibers Used In Nuclear Facilities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Girard, D. Di Francesca,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Boukenter, T. Robin, E. Marin, A. Ladaci, I. Reghioua, A. Morana, S. Rizzolo, C. Cangialosi, I. Planes,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J.-Y. Michalon, C. Marcandella, P. Paillet, M. Gaillardin, M. Raine, N. Richard, B. Cadier, and Y. Ouerdane
Equilibrium Degradation Levels in Irradiated and Pumped Erbium-Doped Optical Fibers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F. Mady, J.-B. Duchez, Y. Mebrouk, and M. Benabdesselam
Multi-MGy RadiationHard CMOS Image Sensor:Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests . . . . . . . . . . V. Goiffon,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F. Corbière, S. Rolando, M. Estribeau, P. Magnan, B. Avon, J. Baer, M. Gaillardin, R. Molina,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P. Paillet, S. Girard, A. Chabane, P. Cervantes, and C. Marcandella
Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . O. Marcelot, V. Goiffon, M. Raine, O. Duhamel, M. Gaillardin, R. Molina, and P. Magnan
Modeling TID Effects in Mach-Zehnder Interferometer Silicon Modulator for HL-LHC Data Transmission Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Seif El Nasr-Storey, F. Boeuf, C. Baudot, S. Detraz, J. M. Fedeli, D. Marris-Morini, L. Olantera,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. Pezzullo, C. Sigaud, C. Soos, J. Troska, F. Vasey, L. Vivien, M. Zeiler, and M. Ziebell
Single Event Upset Sensitivity of D-Flip Flop of Infrared Image Sensors for Low Temperature Applications Down to 77 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .L. Artola, G. Hubert, O. Gilard, S. Ducret, F. Perrier, M. Boutillier, P. Garcia, G. Vignon, B. Baradat, and N. Ricard
Radiation Hardened Optical Frequency Domain Reflectometry Distributed Temperature Fiber-Based Sensors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . S. Rizzolo, E.Marin, A. Boukenter, Y. Ouerdane, M. Cannas, J. Périsse, S. Bauer, J.-R.Macé, C. Marcandella, P. Paillet, and S. Girard
SESSION I: DOSIMETRY
GaAs Displacement Damage Dosimeter Based on Diode Dark Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. H. Warner, S. R. Messenger, C. D. Cress,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. J. Walters, N. J.-H. Roche, K. A. Clark, M. F. Bennett, E. W. Blackmore, and M. Trinczek
Characterization of a Large Area Thinned Silicon Microdosimeter for Space and Particle Therapy . . . . . . . . . . . . L. Chartier, L. T. Tran, D. Bolst,
. . . . . . . . . . D. A. Prokopovich, M. I. Reinhard, M. Petasecca, M. Lerch, M. Povoli, A. Kok, N. Matsufuji, M. Nancarrow, and A. B. Rosenfeld
Capacitance-Based Dosimetry of Co-60 Radiation Using Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Y. Li, W. M. Porter, R. Ma, M. A. Reynolds, B. J. Gerbi, and S. J. Koester
The Role of Static Charge in Ultra-Low Alpha Particle Emissivity Measurements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. S. Gordon, K. P. Rodbell, C. E. Murray, S. M. Sri-Jayantha, and B. D. McNally
3D Silicon Microdosimetry and RBE Study Using 12C Ion of Different Energies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. T. Tran, L. Chartier, D. Bolst,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. A. Prokopovich, S. Guatelli, M. Nancarrow, M. I. Reinhard, M. Petasecca, M. L. F. Lerch, V. L. Pereverlaylo,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . N. Matsufuji, D. Hinde, M. Dasgupta, A. Stuchbery, M. Jackson, and A. B. Rosenfeld
Energy Dependent Efficiency in Low Background Alpha Measurements and Impacts on Accurate Alpha Characterization . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Kawasaki, B. M. Clark, T. Nishino, and M. S. Gordoe
SESSION J: HARDENING BY DESIGN
High Performance Low Power Pulse-Clocked TMR Circuits for Soft-Error Hardness . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C. Ramamurthy,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Chellappa, V. Vashishtha, A. Gogulamudi, and L. T. Clark
Efficient Mitigation of SET Induced Harmonic Errors in Ring Oscillators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Agustin, M. L. Lopez-Vallejo,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C. G. Soriano, P. Cholbi, L. W. Massengill, and Y. P. Chen
Optimization of SiGe HBT RF Switches for Single-Event Transient Mitigation . . . . . . . . . . . I. Song, S. Jung, N. E. Lourenco, U. S. Raghunathan,
. . . . . . . . . . Z. E. Fleetwood, M.-K. Cho, N. J.-H. Roche, A. Khachatrian, J. H. Warner, S. P. Buchner, D. McMorrow, P. Paki, and J. D. Cressler
Radiation Hardening of Voltage References Using Chopper Stabilization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . K. J. Shetler, N. M. Atkinson, W. T. Holman,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. S. Kauppila, T. D. Loveless, A. F. Witulski, B. L. Bhuva, E. X. Zhang, and L. W. Massengill
A Novel 65 nm Radiation Tolerant Flash Configuration Cell Used in RTG4 Field Programmable Gate Array . . . . . . . . . . . J.-J. Wang, N. Rezzak,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Dsilva, J. Jia, A. Cai, F. Hawley, J. McCollum, and E. Hamdy
Analyzing the Effectiveness of a Frame-Level Redundancy Scrubbing Technique for SRAM-based FPGAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Tonfat, F. Lima Kastensmidt, P. Rech, R. Reis, and H. M. Quinn
S-SETA: Selective Software-Only Error-Detection Technique Using Assertions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E. Chielle, G. S. Rodrigues, F. L. Kastensmidt, S. Cuenca-Asensi, L. A. Tambara, P. Rech, and H. Quinn
Conference Author Index
PART II OF TWO PARTS
|
19th REAL TIME CONFERENCE (RT2014), NARA, JAPAN, 26-30 MAY 2014
Design of the Readout Electronics for the BGO Calorimeter of DAMPE Mission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C. Feng, D. Zhang, J. Zhang, S. Gao, D. Yang, Y. Zhang, Z. Zhang, S. Liu, and Q. An
An Optimal Real-Time Controller for Vertical Plasma Stabilization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . N. Cruz, J.-M. Moret, S. Coda, B. P. Duval, H. B. Le, A. P. Rodrigues, C. A. F. Varandas, C. M. B. A. Correia, and B. Gonçalves
Performance of the Fully Digital FPGA-Based Front-End Electronics for the GALILEO Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Barrientos, M. Bellato, D. Bazzacco, D. Bortolato, P. Cocconi, A. Gadea, V. González, M. Gulmini,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. Isocrate, D. Mengoni, A. Pullia, F. Recchia, D. Rosso, E. Sanchis, N. Toniolo, C. A. Ur, and J. J. Valiente-Dobón
A Low Voltage Low Power Adaptive Transceiver for Twisted-Pair Cable Communication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Wu, K. Tian, Q. Dong, L. Sun, L. Zhang, and X. Liu
The Muon Portal Double Tracker for the Inspection of Travelling Containers . . . . . . . . . . . . . . . . . .C. Pugliatti, V. Antonuccio, M. Bandieramonte,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . U. Becciani, F. Belluomo, A. Blancato, G. Bonanno, A. Costa, P. G. Fallica, S. Garozzo, A. Grillo, V. Indelicato,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P. La Rocca, E. Leonora, F. Longhitano, S. Longo, D. Lo Presti, D. Marano, P. Massimino, C. Petta, C. Pistagna,
. . . . . . . . M. Puglisi, N. Randazzo, F. Riggi, S. Riggi, G. Romeo, G. V. Russo, G. Santagati, M.C. Timpanaro, G. Valvo, F. Vitello, and A. Zaia
Design and Implementation of a High Resolution DAQ System for an (e, 2e+ion) ElectronMomentum Spectrometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Q. Zheng, C. Feng, Y. Huang, S. Liu, and Q. An
High-Resolution Synthesizable Digitally-Controlled Delay Lines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .R. Giordano, F. Ameli, P. Bifulco, V. Bocci, S. Cadeddu, V. Izzo, A. Lai, S. Mastroianni, and A. Aloisio
Online 4-Dimensional Reconstruction of Time-Slices in the CBM Experiment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V. Akishina and I. Kisel
Layout and Radiation Tolerance Issues in High-Speed Links . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. Giordano, A. Aloisio, V. Bocci, M. Capodiferro, V. Izzo, L. Sterpone, and M. Violante
MTCA.4-Based Digital LLRF Control System for CW SRF Linacs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I. Rutkowski, R. Rybaniec, K. Czuba, Ł. Butkowski, M. Hoffmann, F. Ludwig, C. Schmidt, and H. Schlarb
21st SYMPOSIUM ON ROOM-TEMPERATURE SEMICONDUCTOR DETECTORS (RTSD)
SEATTLE, WA, USA, 8-15 NOVEMBER 2014
DETECTOR ARRAYS
High-Efficiency CdZnTe Gamma-Ray Detectors . . . . . . . . . . . . . . A. E. Bolotnikov, K. Ackley, G. S. Camarda, Y. Cui, J. F. Eger, G. De Geronimo,
. . . . . . . . . . . . . . . . C. Finfrock, J. Fried, A. Hossain, W. Lee, M. Prokesch, M. Petryk, J. L. Reiber, U. Roy, E. Vernon, G. Yang, and R. B. James
OTHER DETECTOR MATERIALS
Improved n-Type 4H-SiC Epitaxial Radiation Detectors by Edge Termination . . . . . . . . . . . . . . . . . K. V. Nguyen, M. A. Mannan, and K. C. Mandal
MODELING AND SIMULATION OF RADIATION EFFECTS (SPECIAL ISSUE)
Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . W. Tianqi, L. Xiao, M. Huo, B. Zhou, Q. Chunhua, L. Shanshan, C. Xuebing, Z. Rongsheng, and G. Jing
REGULAR PAPERS
ACCELERATOR AND BEAM LINE INSTRUMENTATION
Calibration and Performance Tests of Detectors for Laser-Accelerated Protons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Seimetz, P. Bellido, A. Soriano,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. García López, M. C. Jiménez-Ramos, B. Fernández, P. Conde, E. Crespo, A. J. González, L. Hernández,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Iborra, L. Moliner, J. P. Rigla, M. J. Rodríguez-Álvarez, F. Sánchez, S. Sánchez, L. F. Vidal, and J. M. Benlloch
MPX Detectors as LHC Luminosity Monitor . . . . . . . . . . . . . A. Sopczak, B. Ali, N. Asbah, B. Bergmann, K. Bekhouche, D. Caforio, M. Campbell,
. . . . . . . . . . . . . . . . . E. Heijne, C. Leroy, A. Lipniacka, M. Nessi, S. Pospísil, F. Seifert, J. Solc, P. Soueid, M. Suk, D. Tureæcek, and Z. Vykydal
ANALOG AND DIGITAL CIRCUITS
Characterization of a Serializer ASIC Chip for the Upgrade of the ATLAS Muon Detector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Precise Clock Synchronization in the Readout Electronics of WCDA in LHAASO . . . L. Zhao, S. Chu, C. Ma, X. Gao, Y. Yang, S. Liu, and Q. An
CHERENKOV DETECTORS
Performance of a Quintuple-GEM Based RICH Detector Prototype . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .M. Blatnik, K. Dehmelt, A. Deshpande,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D. Dixit, N. Feege, T. K. Hemmick, B. Lewis, M. L. Purschke, W. Roh, F. Torales-Acosta, T. Videbæk, and S. Zajac
COMPUTING, SIMULATION, ALGORITHMS, AND SOFTWARE
Calorimeter Response Deconvolution for Energy Estimation in High-Luminosity Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Maximum Likelihood Localization of Radioactive Sources Against a Highly Fluctuating Background . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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GAS DETECTORS
On Detection of Narrow Angle e+e– Pairs From Dark Photon Decays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. V. Dermenev, S. V. Donskov, S. N. Gninenko,
. . . . . . . S. B. Kuleshov, V. A. Matveev, V. V. Myalkovskiy, V. D. Peshekhonov, V. A. Poliakov, A. A. Savenkov, V. O. Tikhomirov, and I. A. Zhukov
INSTRUMENTATION FOR MEDICAL AND BIOLOGICAL APPLICATIONS
Characterization of Screen-Printed Mercuric Iodide Photoconductors for Mammography . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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NUCLEAR POWER INSTRUMENTATION AND CONTROL
Model-Free Power-Level Control of MHTGRs Against Input Saturation and Dead-Zone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Z. Dong
NUCLEAR POWER PLANTS
Online Fault Detection and Diagnosis of In-Core Neutron Detectors Using Generalized Likelihood Ratio Method . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Y. Vidya Sagar, A. K. Mishra, A. P. Tiwari, and S. B. Degwekerg
RADIATION EFFECTS
Neutron Radiation Effects on the Electrical Characteristics of InAs/GaAs QuantumDot-in-a-Well Structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Heavy-Ion-Induced Charge Sharing Measurement With a Novel UniformVertical Inverter Chains (UniVIC) SEMT Test Structure . . . . . . . . . . . . .
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Microchannel Plate Detector Detection Efficiency to Monoenergetic Electrons Between 0.4 and 2.6 MeV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Encapsulating Ion-Solid Interactions in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. Shyam, D. D. Kulkarni, D. A. Field, E. S. Srinadhu, J. E. Harriss, W. R. Harrell, and C. E. Sosolik
Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOSMemory Elements Based on
Stochastic Analysis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. A. Bota, G. Torrens, J. Verd, J. L. Merino, D. Malagón-Periánez, and J. Segura
Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs . . . . . D. M. Keum, H.-Y. Cha, and H. Kim
SEU Rate in Avionics: From Sea Level to High Altitudes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Barak and N. M. Yitzhak
Radiation Defects and Annealing Study on PNP Bipolar Junction Transistors Irradiated by 3-MeV Protons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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SCINTILLATION DETECTORS
A Global Analysis of Light and Charge Yields in Liquid Xenon . . . B. Lenardo, K. Kazkaz, A. Manalaysay, J. Mock, M. Szydagis, and M. Tripathi
The Influence of Cation Impurities on the Scintillation Performance of SrI2 (Eu) . . . . . . . . . . . . . S. Lam, S. E. Swider, A. Datta, and S. Motakef
2015 INDEX
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