"Measurement of Cosmic Ray and Trapped Proton LET Spectra on the STS-95 HOST Mission"

"Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Effect Sensitivity in Samsung 8Gb NAND Flash Memories"

"Understanding Charge Collection Mechanisms in InGaAs FinFETs Using High-Speed Pulsed-Laser Transient Testing With Tunable Wavelength"

A PUBLICATION OF THE IEEE NUCLEAR AND PLASMA SCIENCES SOCIETY

PART I OF TWO PARTS

Measurement of Cosmic Ray and Trapped Proton LET Spectra on the STS-95 HOST Mission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E. G. Stassinopoulos, J. L. Barth, and C. A. Stauffer
High-Energy Electron-Induced SEUs and Jovian Environment Impact . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . M. Tali, R. G. Alía, M. Brugger, V. Ferlet-Cavrois, R. Corsini, W. Farabolini, A. Mohammadzadeh, G. Santin, and A. Virtanen
Benchmarking Ionizing Space Environment Models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . S. Bourdarie, C. Inguimbert, D. Standarovski, J.-R. Vaillé, A. Sicard-Piet, D. Falguere, R. Ecoffet, C. Poivey, and E. Lorfèvre
Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes: Incident Angle and Energy Deposition Dependence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Javanainen, M. Turowski, K. F. Galloway, C. Nicklaw,
      V. Ferlet-Cavrois, A. Bosser, J.-M. Lauenstein, M. Muschitiello,  F. Pintacuda,  R. A. Reed,  R. De Schrimpf,  R. A. Weller,  and  A. Virtanen
Experimental and Simulation Studies of the Effects of Heavy-Ion Irradiation on HfO₂-Based RRAM Cells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Alayan, M. Bagatin, S. Gerardin, A. Paccagnella, L. Larcher, E. Vianello, E. Nowak, B. De Salvo, and L. Perniola
Total Ionizing Dose Influence on the Single Event Effect Sensitivity in Samsung 8Gb NAND Flash Memories . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . L. D. Edmonds, F. Irom, and G. R. Allen
Floating Gate Dosimeter Suitability for Accelerator-Like Environments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Brucoli, S. Danzeca, M. Brugger, A. Masi, A. Pineda, J. Cesari, L. Dusseau, and F. Wrobel
Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     M. Gaillardin, C. Marcandella, M. Martinez, O. Duhamel, T. Lagutere, P. Paillet, M. Raine, N. Richard, F. Andrieu, S. Barraud, and M. Vinet
Understanding Charge Collection Mechanisms in InGaAs FinFETs Using High-Speed Pulsed-Laser Transient Testing With Tunable
      Wavelength . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . K. Ni, A. L. Sternberg, E. X. Zhang,
      J. A. Kozub,   R. Jiang,   R. D. Schrimpf,   R. A. Reed,   D. M. Fleetwood,   M. L. Alles,   D. McMorrow,   J. Lin,  A. Vardi  and J. del Alamo
Modeling Single-Event Transient Propagation in a SiGe BiCMOS Direct-Conversion Receiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Ildefonso, I. Song, G. N. Tzintzarov, Z. E. Fleetwood, N. E. Lourenco, M. T. Wachter, and J. D. Cressler
Investigation of Electrical Latchup and SEL Mechanisms at Low Temperature for Applications Down to 50 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Al Youssef, L. Artola, S. Ducret, G. Hubert, and F. Perrier
Impact of Temporal Masking of Flip-Flop Upsets on Soft Error Rates of Sequential Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. M. Chen, N. N. Mahatme,
     Z. J. Diggins,    L. Wang,    E. X. Zhang,    Y. P. Chen,    Y. N. Liu,   B. Narasimham,   A. F. Witulski,   B. L. Bhuva,   and   D. M. Fleetwood
Analysis of SEL on Commercial SRAM Memories and Mixed-Field Characterization of a Latchup Detection Circuit for LEO Space
     Applications . . . . . . . . R. Secondo, R. G. Alía, P. Peronnard, M. Brugger, A. Masi, S. Danzeca, A. Merlenghi, J.-R. Vaillé, and L. Dusseau
Estimating Single-Event Logic Cross Sections in Advanced Technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. C. Harrington, J. S. Kauppila,
      K. M. Warren,  Y. P. Chen,  J. A. Maharrey,  T. D. Haeffner,  T. D. Loveless,  B. L. Bhuva,  M. Bounasser,  K. Lilja,   and   L. W. Massengill
Effects of Temperature and Supply Voltage on SEU- and SET-Induced Errors in Bulk 40-nm Sequential Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. M. Chen, Z. J. Diggins,
      N. N. Mahatme, L. Wang, E. X. Zhang, Y. P. Chen, H. Zhang, Y. N. Liu, B. Narasimham, A. F. Witulski, B. L. Bhuva, and D. M. Fleetwood
Compact Modeling and Simulation of Heavy Ion-Induced Soft Error Rate in Space Environment: Principles and Validation . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. I. Zebrev and A. M. Galimov
Experimental Investigation of Single-Event Transient Waveforms Depending on Transistor Spacing and Charge Sharing in 65-nm CMOS . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . M. Mitrović, M. Hofbauer, B. Goll, K. Schneider-Hornstein, R. Swoboda, B. Steindl, K.-O. Voss,  and  H. Zimmermann
Single-Event Upset Characterization of Common First- and Second-Order All-Digital Phase-Locked Loops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Y. P. Chen, L. W. Massengill, J. S. Kauppila, B. L. Bhuva, W. T. Holman, and T. D. Loveless
Statistical Deviations From the Theoretical Only-SBU Model to Estimate MCU Rates in SRAMs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . F. J. Franco, J. A. Clemente, M. Baylac, S. Rey, F. Villa, H. Mecha, J. A. Agapito, H. Puchner, G. Hubert, and R. Velazco
Analyzing the Influence of the Angles of Incidence and Rotation on MBU Events Induced by Low LET Heavy Ions in a 28-nm
     SRAM-Based FPGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Tonfat,
     F. L. Kastensmidt, L. Artola, G. Hubert, N. H. Medina,  N. Added,  V. A. P. Aguiar,  F. Aguirre , E. L. A. Macchione,   and   M. A. G. Silveira
Experimental and Analytical Analysis of Sorting Algorithms Error Criticality for HPC and Large Servers Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C. Lunardi, H. Quinn, L. Monroe, D. Oliveira, P. Navaux, and P. Rech
Register File Criticality and Compiler Optimization Effects on Embedded Microprocessor Reliability . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F. M. Lins, L. A. Tambara, F. L. Kastensmidt, and P. Rech
Sensitivity Characterization of a COTS 90-nm SRAM at Ultralow Bias Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. A. Clemente, G. Hubert, F. J. Franco, F. Villa, M. Baylac, H. Mecha, H. Puchner, and R. Velazco
Analyzing the Impact of Fault-Tolerance Methods in ARM Processors Under Soft Errors Running Linux and Parallelization APIs . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. S. Rodrigues, F. Rosa, Á. B. de Oliveira, F. L. Kastensmidt, L. Ost, and R. Reis
Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. J. E. Jansen, S. Lindner, G. Furano, C. Boatella-Polo, and B. Glass
Compact Modeling of MOSFET I –V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . G. I. Zebrev, V. V. Orlov, A. S. Bakerenkov, and V. A. Felitsyn
Error Detection Technique for a Median Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. A. Aranda, P. Reviriego, and J. A. Maestro
ELDRS Susceptibility of Bipolar Transistors and Integrated Circuits During Low-Temperature Irradiation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. S. Bakerenkov, V. S. Pershenkov, V. A. Felitsyn, A. S. Rodin, V. A. Telets, V. V. Belyakov, and V. V. Shurenkov
Effects of Channel Implant Variation on Radiation-Induced Edge Leakage Currents in n-Channel MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. L. McLain, H. J. Barnaby, and G. Schlenvogt
TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-OFF GaN Transistors After Heavy Ion Radiation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . M. Zerarka, P. Austin, A. Bensoussan F. Morancho, and A. Durier
Fault Modeling and Worst Case Test Vector Generation for Flash-Based FPGAs Exposed to Total Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. A. Abou-Auf, M. M. Abdel-Aziz, M. A. Abdel-Aziz, and A. A. Ammar
Effects of Interface Donor Trap States on Isolation Properties of Detectors Operating at High-Luminosity LHC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . F. Moscatelli, D. Passeri, A. Morozzi, S. Mattiazzo, G.-F. Dalla Betta, M. Dragicevic, and G. M. Bilei
Preliminary Guidelines and Predictions for 14-MeV Neutron SEE Testing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C. Weulersse, N. Guibbaud, A.-L. Beltrando, J. Galinat, C. Beltrando, F. Miller, P. Trochet, and D. Alexandrescu
On the Robustness of Stochastic Bayesian Machines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Coelho, R. Laurent, M. Solinas, J. Fraire, E. Mazer, N.-E. Zergainoh, S. Karaoui, and R. Velazco
Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Induced by NGB Stress in AlInN/GaN HEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Petitdidier, Y. Guhel, G. Brocero, P. Eudeline, J. L. Trolet, P. Mary, C. Gaquière, and B. Boudart
A Comparative Study on TID Influenced Lateral Diffusion of Group 11 Metals Into Ge_x S_1−x and Gex Se_1−x Systems: A Flexible Radiation
     Sensor Development Perspective . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     A. Mahmud, Y. Gonzalez-Velo, H. J. Barnaby, M. N. Kozicki, M. Mitkova, K. E. Holbert,  M. Goryll,  T. L. Alford,  J. L. Taggart,  and  W. Chen
Resistance State Locking in CBRAM Cells Due to Displacement Damage Effects. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. L. Taggart, R. Fang,
     Y. Gonzalez-Velo,  H. J. Barnaby,  M. N. Kozicki,  J. L. Pacheco,  E. S. Bielejec,  M. L. McLain,  N. Chamele,  A. Mahmud,  and  M. Mitkova
Gamma Radiation Tests of Radiation-Hardened Fiber Bragg Grating-Based Sensors for Radiation Environments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Kuhnhenn, U. Weinand, A. Morana, S. Girard,
      E. Marin, J. Périsse, J. S. Genot, J. Grelin, L. Hutter, G. Mélin, L. Lablonde, T. Robin, B. Cadier, J.-R. Macé, A. Boukenter, and Y. Ouerdane
Irradiation Temperature Influence on the In Situ Measured Radiation Induced Attenuation of Ge-Doped Fibers . . . . . A. Alessi, D. Di Francesca,
      S. Girard, S. Agnello, M. Cannas, I. Reghioua,  L. Martin-Samos,  C. Marcandella,  N. Richard,  P. Paillet,  A. Boukenter,  and  Y. Ouerdane
Cathodoluminescence Characterization of Point Defects in Optical Fibers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I. Reghioua,
      S. Girard,   M. Raine,   A. Alessi,  D. Di Francesca,  M. Fanetti,  L. Martin-Samos,  N. Richard,  M. Valant,  A. Boukenter,  and  Y. Ouerdane
Characterization of Novel Lightweight Radiation Shielding Materials for Space Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . M. Steffens, F. Hepp, S. K. Höffgen, P. Krzikalla, S. Metzger, F. Pellowski, G. Santin, L. Tiedemann, A. Tighe, and U. Weinand
SEP Protons in GEO Measured With the ESA MultiFunctional Spectrometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . L. Arruda, P. Gonçalves, I. Sandberg,
     S. A. Giamini, I. A. Daglis, A. Marques, J. C. Pinto, A. Aguilar, P. Marinho, T. Sousa, H. Evans, P. Jiggens, A. Menicucci,  and  P. Nieminen
Ionizing Dose Calculations for Low Energy Electrons in Silicon and Aluminum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J. Pierron, C. Inguimbert, M. Belhaj, M. Raine, and J. Puech

Conference Author Index

REGULAR PAPERS

ACCELERATOR TECHNOLOGY
Development of a Low-Q Cavity-Type Beam Position Monitoring System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. W. Jang, E.-S. Kim, A. Heo, Y. Honda, T. Tauchi, N. Terunuma, and J. G. Hwang
RF Control Optimization and Automation for Normal Conducting Linear Accelerators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. Z. Geng

RADIATION EFFECTS
Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Huang, S. Wei, K. Tang, J. Pan, W. Xu, Y. Wei, Y. Wu, J. Chen, Q. Mei, Z. Zhang, and L. Geng
Electrically Active Defects in Neutron-Irradiated HPSI 4H-SiC X-Ray Detectors Investigated by ZB-TSC Technique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P. V. Raja and N. V. N. Murty

RADIATION INSTRUMENTATION
Probability Distribution of After Pulsing in Passive-Quenched Single-Photon Avalanche Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .G. Kawata, J. Yoshida, K. Sasaki, and R. Hasegawa
Euler’s Elastica Strategy for Limited-Angle Computed Tomography Image Reconstruction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . H. Zhang, L. Wang, Y. Duan, L. Li, G. Hu, and B. Yan
Li Co-Doped NaI:Tl (NaIL)—A Large Volume Neutron-Gamma Scintillator With Exceptional Pulse Shape Discrimination . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . K. Yang, P. R. Menge, and V. Ouspenski
Real-Time Estimation of Zero Crossings of Sampled Signals for Timing Using Cubic Spline Interpolation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. J. Aliaga
A Histogram-DifferenceMethod for Neutron/Gamma Discrimination Using Liquid and Plastic Scintillators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . R. M. French, M. Thevenin, M. Hamel, and E. Montbarbon
Development of a Four-Side Buttable X-Ray Detection Module With Low Dead Area Using the UFXC32k Chips With TSVs . . . . . . . . . . . . . . .
     . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . K. Kasinski, P. Grybos, P. Kmon, P. Maj, R. Szczygiel, and K. Zoschke

REAL TIME SYSTEMS
A Time-to-Digital Converter Based on a Digitally Controlled Oscillator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
      . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . S. Cadeddu, A. Aloisio, F. Ameli, V. Bocci, L. Casu, R. Giordano, V. Izzo, A. Lai, A. Loi, and S. Mastroianni